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楼主: wangj
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关于MOV的耐流能力

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 楼主| 发表于 2004-5-10 13:15:00 | 只看该作者
[这个贴子最后由wangj在 2004/05/10 01:17pm 第 1 次编辑]

下面引用由通天雷神2004/05/10 10:40am 发表的内容:
4只并联62%;5只并联51%。再多的就没有做过实验了。

要这么推,6只并联40%,7只并联29%..........10只并联还不如一只?哈哈!
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发表于 2004-5-10 13:45:00 | 只看该作者
那岂不是坏了
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发表于 2004-5-10 14:02:00 | 只看该作者
[这个贴子最后由通天雷神在 2004/05/10 02:06pm 第 1 次编辑]

错。

超过5只并联的时候那条曲线已经不再近似于直线,而是急剧下弯。我说‘没有做过实验’是指‘没有做过可重复的有说服力的实验’并不是这样的实验我没有做过。我在实验的时候最多并联到20只。但是数据非常非常的乱,所以我觉得已经没有研究下去的价值。因为在实验中我发现了两个问题:1是并联的通流容量的有效值与MOV芯片的直径有关。2是多只并联(超过5只)时,其并联的通流容量的有效值不在有电阻效应作为主控效应,更多的取决于电感和电容。哪怕是位置的区别也足以改变这个值。

无论多少只并联都比一只的时候大。因为在这里百分比是对∑值而言的,而∑值是一个三元极限函数。关于这个函数可以参看我在《功能材料》上发表的论文。然而,我想说的是,我依据LRC做的微分环境下的模糊函数模拟公式省略了许多条件,因此并不适用于大于5只的并联环境。我已经没有条件再去研究这个,所以后续的模拟被搁置。

季幼章院士曾经做过想类似的一个分析,由王士良博士的研究生去完成,其结果和我的模拟非常近似,其更多的建立在数学的计算上,而实验部分稍微少了一些。在以后的两年里我看过许多关于此问题的论文,有代表性的是瑞典国家空间材料实验室乔·泊格斯森的实验模拟和日本太阳诱电井植纯宗的模糊计算。其结果也与我们国内的研究近似。从实验和计算上讲,这条曲线都是左平右弯的。

最后我要说的是,这个参数是针对20D的MOV而言的近似值。不要认为所有的MOV并联都可以使用这一参数!还有值得说的是,当仅仅有2只MOV并联的时候,MOV芯片的尺寸对其结果影响不大。

我们论坛其实除我和ASP外有两位压敏行业赫赫有名的专家在,你有疑问可以问他们,如果这两为老先生愿意出来指点一二的话。呵呵。

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发表于 2004-5-10 14:19:00 | 只看该作者
深受教育
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 楼主| 发表于 2004-5-10 17:00:00 | 只看该作者
下面引用由通天雷神2004/05/10 02:02pm 发表的内容:
错。
.....季幼章院士曾经做过想类似的一个分析,由王士良博士的研究生去完成,其结果和我的模拟非常近似,其更多的建立在数学的计算上,而实验部分稍微少了一些。在以后的两年里我看过许多关于此问题的论文,有代表性的是瑞典国家空间材料实验室乔·泊格斯森的实验模拟和日本太阳诱电井植纯宗的模糊计算。其结果也与我们国内的研究近似。从实验和计算上讲,这条曲线都是左平右弯的。



通天绝对达到院士水平!!

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发表于 2004-5-10 17:42:00 | 只看该作者
嘿嘿。估计和医院护士的水平差不多罢了。
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发表于 2004-5-11 08:14:00 | 只看该作者
太谦虚了吧
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发表于 2004-5-11 13:43:00 | 只看该作者
有人把两组压敏电阻并联使用,无非是想让它的通流容量大些.但是真正达到大的通流容量需要两组的响应特征越相似越好,所以要配伍.但配伍合适的两组压敏电阻在经过超过In的雷击电流后,恐怕其内部的响应特性已经不一致了吧.那它第二次经雷击时一定会有一组先动,另一组后动,最起码不会想刚出厂时性能那样一致.我对防雷设备工艺是门外汉,不当指出请指正.
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 楼主| 发表于 2004-5-11 13:57:00 | 只看该作者
下面引用由通天雷神2004/05/10 02:02pm 发表的内容:
错。
.......

我们论坛其实除我和ASP外有两位压敏行业赫赫有名的专家在,你有疑问可以问他们,如果这两为老先生愿意出来指点一二的话。呵呵。

这两位压敏行业赫赫有名的专家其中有一位是昆老吧?那还有一位高人是谁?怎么深藏不露的呢?

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50
发表于 2004-5-11 22:21:00 | 只看该作者
下面引用由wangj2004/05/11 01:57pm 发表的内容:
这两位压敏行业赫赫有名的专家其中有一位是昆老吧?那还有一位高人是谁?怎么深藏不露的呢?

不是。
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