求助防静电的方案

海儿

半导体的静电敏感度:
装置型式        静电放电敏感度范围V        装置型式        静电放电敏感度范围V
VMOS        30-1800V        散粒(肖特基)二极管        300-2500
MOSFET        100-200V        薄片电阻(原细)        300-3000
GASFET        100-300V        双向晶体管        380-7000
EPPROM        100V        ECL(发射极耦合逻辑电路)        500-1500
JFET        140-7000V        SCR(可控硅)        680-1000
SAM        150-1500V        散粒(肖特基)晶体管        1000-2500
OP-AMP        190-2500V        --晶体管逻辑电路        1000-2500
CMOS        250-3000V

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这个就是最佳解决办法么？